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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Defects in He+ irradiated 6H-SiC probed by DLTS and LTPL measurements 1-gen-2004 Ruggiero, A.; Libertino, S.; Mauceri, M.; Reitano, Riccardo; Musumeci, Paolo; Roccaforte, F.; LA VIA, F.; Calcagno, L.
Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization 1-gen-2006 LA VIA, F; Galvagno, G; Firrincieli, A; Roccaforte, F; DI FRANCO, S; Ruggiero, A; Calcagno, Lucia; Foti, G; Mauceri, M; Leone, S; Pistone, G; Portuese, F; Abbondanza, G; Abbagnale, G; Valente, G. L.; Crippa, D. file da validare
Optimisation of epitaxial layers growth with HCl addition by optical and electrical characterization 1-gen-2007 Calcagno, L; Izzo, G; Litrico, G; Foti, G; LA VIA, F; Galvagno, G; Mauceri, M; Leone, S file da validare
Post-growth process effect on hetero-epitxial 3C-SiC wafer bow and residual stress 1-gen-2013 Anzalone, R.; Camarda, M.; Auditore, A.; Piluso, N.; Severino, A.; La Magna, A.; D'Arrigo, G.; La Via, F. file da validare
Thermal annealing of high dose p implantation in 4H-SiC 1-gen-2019 Calabretta, C.; Zimbone, M.; Barbagiovanni, E. G.; Boninelli, S.; Piluso, N.; Severino, A.; Di Stefano, M. A.; Lorenti, S.; Calcagno, L.; La Via, F. file da validare
Very high growth rate epitaxy process with chlorine addition 1-gen-2007 LA VIA, F; Leone, S; Mauceri, M; Pistone, G; Condorelli, G; Abbondanza, G; Portuese, F; Galvagno, G; DI FRANCO, S; Calcagno, Lucia; Foti, G; Valente, G. L.; Crippa, D. file da validare
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