Sfoglia per Rivista 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
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| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Understanding the kinetics of Metal Induced Lateral Crystallization process to enhance the poly-Si channel quality and current conduction in 3-D NAND memory | 1-gen-2021 | Ramesh, S.; Palayam, S. V.; Ajaykumar, A.; Opsomer, K.; Bastos, J.; Ragnarsson, L. -A.; Breuil, L.; Arreghini, A.; Wouters, L.; Spampinato, V.; Favia, P.; Mehta, A. N.; Carolan, P.; Nyns, L.; Katcko, K.; Stiers, J.; Van Den Bosch, G.; Rosmeulen, M. |
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