A galvanic-isolated coupling of circuit portions is accomplished on the basis of a stacked chip configuration. The semiconductor chips thus can be fabricated on the basis of any appropriate process technology, thereby incorporating one or more coupling elements, such as primary or secondary coils of a micro transformer, wherein the final characteristics of the micro transformer are adjusted during the wafer bond process.

Un accoppiamento galvanicamente isolato di porzioni di circuito viene realizzato sulla base di una configurazione di chip impilata. I chip semiconduttori possono perciò essere fabbricati sulla base di qualsiasi tecnologia di processo appropriata, incorporando in tal modo uno o più elementi di accoppiamento, quali bobine primarie o secondarie di un micro-trasformatore, in cui le caratteristiche finali del micro-trasformatore sono regolate durante il processo di microsaldatura del wafer.

Dispositivo a microstruttura comprendente un accoppiamento di campo elettromagnetico vicino tra porzioni impilate di dispositivo e procedimento di formazione del dispositivo

E. Ragonese;G. Palmisano
2011-01-01

Abstract

A galvanic-isolated coupling of circuit portions is accomplished on the basis of a stacked chip configuration. The semiconductor chips thus can be fabricated on the basis of any appropriate process technology, thereby incorporating one or more coupling elements, such as primary or secondary coils of a micro transformer, wherein the final characteristics of the micro transformer are adjusted during the wafer bond process.
2011
Un accoppiamento galvanicamente isolato di porzioni di circuito viene realizzato sulla base di una configurazione di chip impilata. I chip semiconduttori possono perciò essere fabbricati sulla base di qualsiasi tecnologia di processo appropriata, incorporando in tal modo uno o più elementi di accoppiamento, quali bobine primarie o secondarie di un micro-trasformatore, in cui le caratteristiche finali del micro-trasformatore sono regolate durante il processo di microsaldatura del wafer.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11769/321925
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