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Characterization and Modeling of SiC MOSFETs Turn on in a Half Bridge Converter

Characterization and Modeling of SiC MOSFETs Turn on in a Half Bridge Converter

G. Scelba;G. Scarcella;M. Cacciato
2019-01-01

Abstract

Characterization and Modeling of SiC MOSFETs Turn on in a Half Bridge Converter
2019
978-172810395-2
Double pulse test, InverterModelling, Silicon Carbide, Transconductance, Transfer characteristic, Turn on model
4.1 Contributo in Atti di convegno
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