Relaxation phenomena in hydrogenated ion implanted amorphous silicon carbide

Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia; Makhtari, A.

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Relaxation phenomena in hydrogenated ion implanted amorphous silicon carbide / P.MUSUMECI; CALCAGNO L; A.MAKHTARI. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING. - ISSN 0921-5093. - 253(1998), pp. 296-299.

Titolo:	Relaxation phenomena in hydrogenated ion implanted amorphous silicon carbide
Autori interni:	MUSUMECI, Paolo CALCAGNO, Lucia A. MAKHTARI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1998
Rivista:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING
Citazione:	Relaxation phenomena in hydrogenated ion implanted amorphous silicon carbide / P.MUSUMECI; CALCAGNO L; A.MAKHTARI. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING. - ISSN 0921-5093. - 253(1998), pp. 296-299.
Handle:	http://hdl.handle.net/20.500.11769/703
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/20.500.11769/703

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