SAMPERI, ORAZIO
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Deep ion implantation of silicon and silicon carbide for power electronics applications: depth profiling of medium energy proton implants and channelling implants of industrial interest [Impiantazione ionica profonda in silicio e carburo di silicio per applicazioni nell’elettronica di potenza: depth profiling di impianti protonici di media energia e impianti in channelling di interesse industriale]
2025-02-13 Samperi, Orazio
Differences in HF Wet Etching Resistance of PECVD SiNx:H thin films
file da validare2023-01-01 Barcellona, Matteo; Samperi, Orazio; Russo, Davide; Battaglia, Anna; Fischer, Dirk; Fragalà, Maria Elena
Hydrogen depth profiling and multi-energy proton implantation: SIMS as a tool for implant process control
file da validare2024-01-01 Samperi, Orazio; Vines, Lasse; Bertolini, Mario Pietro; Cantiano, Massimiliano; Coffa, Salvo; Fragalà, Maria Elena
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Deep ion implantation of silicon and silicon carbide for power electronics applications: depth profiling of medium energy proton implants and channelling implants of industrial interest [Impiantazione ionica profonda in silicio e carburo di silicio per applicazioni nell’elettronica di potenza: depth profiling di impianti protonici di media energia e impianti in channelling di interesse industriale] | 13-feb-2025 | Samperi, Orazio | |
Differences in HF Wet Etching Resistance of PECVD SiNx:H thin films | 1-gen-2023 | Barcellona, Matteo; Samperi, Orazio; Russo, Davide; Battaglia, Anna; Fischer, Dirk; Fragalà, Maria Elena | file da validare |
Hydrogen depth profiling and multi-energy proton implantation: SIMS as a tool for implant process control | 1-gen-2024 | Samperi, Orazio; Vines, Lasse; Bertolini, Mario Pietro; Cantiano, Massimiliano; Coffa, Salvo; Fragalà, Maria Elena | file da validare |