Effects of the Device Parameters and Circuit Mismatches on the Static and Dynamic Behavior of Parallel Connections of Silicon Carbide MOSFETs

Angelo Raciti
;
2018-01-01

2018
Energia, Conversione, Dispositivi
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
PID5451735.pdf

solo gestori archivio

Descrizione: File uploaded
Tipologia: Documento in Post-print
Licenza: NON PUBBLICO - Accesso privato/ristretto
Dimensione 843.32 kB
Formato Adobe PDF
843.32 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri
Effects_of_the_Device_Parameters_and_Circuit_Mismatches_on_the_Static_and_Dynamic_Behavior_of_Parallel_Connections_of_Silicon_Carbide_MOSFETs.pdf

solo gestori archivio

Tipologia: Versione Editoriale (PDF)
Licenza: NON PUBBLICO - Accesso privato/ristretto
Dimensione 853.75 kB
Formato Adobe PDF
853.75 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11769/335427
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact