ROOM TEMPERATURE STEADY STATE AND TIME RESOLVED PL CHARACTERIZATION OF ION IRRADIATION INDUCED DEFECTS IN 6H-SIC

Reitano, Riccardo; Zimbone, M.; Musumeci, Paolo; Baeri, P.

doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.373

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Photoluminescence (PL) and time resolved PL are well established as important experimental techniques to study electronic properties of SiC. We studied the influence of ion- implantation on the photoluminescence peak at 423nm and the variation of the minority carrier lifetime (MCL).

Titolo:	ROOM TEMPERATURE STEADY STATE AND TIME RESOLVED PL CHARACTERIZATION OF ION IRRADIATION INDUCED DEFECTS IN 6H-SIC
Autori interni:	REITANO, Riccardo M. ZIMBONE MUSUMECI, Paolo P. BAERI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2005
Handle:	http://hdl.handle.net/20.500.11769/3665
Appare nelle tipologie:	4.1 Contributo in Atti di convegno

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http://hdl.handle.net/20.500.11769/3665

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