Photoluminescence (PL) and time resolved PL are well established as important experimental techniques to study electronic properties of SiC. We studied the influence of ion- implantation on the photoluminescence peak at 423nm and the variation of the minority carrier lifetime (MCL).
Titolo: | ROOM TEMPERATURE STEADY STATE AND TIME RESOLVED PL CHARACTERIZATION OF ION IRRADIATION INDUCED DEFECTS IN 6H-SIC | |
Autori interni: | ||
Data di pubblicazione: | 2005 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11769/3665 | |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.