1-mS constant-Gm GaN transconductor with embedded process compensation

Samperi K.;Pennisi S.;Palmisano G.
2022-01-01

2022
978-1-6654-6700-1
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11769/538062
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