B and Sb in germanium for micro and optoelectronics

This thesis is focused on the study and optimization of Ge as a mterial alternative to Si for new generation, more performing micro and optoelectronic devices. In particular the B and Sb doping in Ge have been investigated.

Questa tesi punta l'attenzione sullo studio e l'ottimizzazione del Ge come materiale alternativo al Si per la realizzazione di dispositivi micro ed optoelettronici di nuova generazione. In particolare è stato approfondito il processo di drogaggio del Ge con B ed Sb.