Defect formation mechanisms and 2-DEG isolation induced by low-energy Ar, C, Fe ion implantation of Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure

Anno

2024

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4.2 Abstract in Atti di convegno

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11769/634809