Modeling and Simulation of Low-Voltage MOSFETs Accounting for the Effect of the Gate Parasitic-RC Distribution / CHIMENTO F; MUSUMECI S; PRIVITERA F; RACITI A; FRISINA F; MAGRI' A; MELITO M. - 3(2006), pp. 4025407.1443-4025407.1449. ((Intervento presentato al convegno IEEE Industry Applications Conference. Forty-First IAS Annual Meeting. tenutosi a Tampa, USA nel 8-12 October 2006.
Titolo: | Modeling and Simulation of Low-Voltage MOSFETs Accounting for the Effect of the Gate Parasitic-RC Distribution |
Autori interni: | |
Data di pubblicazione: | 2006 |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11769/75870 |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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