In this paper, an ultra-compact model for nanometer MOS transistors is proposed. Starting from modified and more accurate versions of classical compact models, all the main physical effects that are predominant in nanometer technologies are included in an extremely simple way. Model effectiveness is verified through simulations in a 65-nm CMOS technology.
Titolo: | An ultra-compact MOS model in nanometer technologies |
Autori interni: | |
Data di pubblicazione: | 2011 |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11769/83001 |
ISBN: | 978-1-4577-0617-2 978-1-4577-0618-9 978-1-4577-0616-5 |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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