New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth

Crippa, D; Valente, Gl; Ruggiero, A; Neri, L; Reitano, Riccardo; Calcagno, Lucia; Foti, G; Mauceri, M; Leone, S; Pistone, G; Abbondanza, G; Abbagnale, G; Veneroni, A; Omarini, F; Zamolo, L; Masi, M; Roccaforte, F; Giannazzo, F; Di Franco, S; La Via, F.

The results of a new epitaxial process using an industrial 6x2" wafer reactor with the introduction of HCl during the growth have been reported. A complete reduction of silicon nucleation in the gas phase has been observed even for high silicon dilution parameters (Si/H-2>0.05) and an increase of the growth rate until about 20 um/h has been measured. No difference has been observed in terms of defects, doping uniformity (average maximum variation 8%) and thickness uniformity (average maximum variation 1.2%) with respect to the standard process without HCl.

Titolo:	New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth
Autori interni:	Crippa D Valente GL Ruggiero A Neri L REITANO, Riccardo CALCAGNO, Lucia Foti G Mauceri M Leone S Pistone G Abbondanza G Abbagnale G Veneroni A Omarini F Zamolo L Masi M Roccaforte F Giannazzo F Di Franco S La Via F. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2005
Rivista:	MATERIALS SCIENCE FORUM
Handle:	http://hdl.handle.net/20.500.11769/83963
ISBN:	0-87849-963-6
Appare nelle tipologie:	4.1 Contributo in Atti di convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/20.500.11769/83963

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

CINECA IRIS Institutional Research Information System

File in questo prodotto: