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Atomic environment of Fe following high-temperature implantation in InP
file da validare2003-01-01 T., Cesca; A., Gasparotto; G., Mattei; V., Rampazzo; F., Boscherini; B., Fraboni; Priolo, Francesco; G., Ciatto; F., Dacapito; C., Bocchi
Atomic Transport Properties and Electrical Activation of Ultra-Low Energy Implanted B in Crystalline Si
file da validare1999-01-01 V., Privitera; E., Napolitani; Priolo, Francesco; G., Mannino; A., La Magna; A., Carnera
Atomistic mechanism of boron diffusion in silicon
file da validare2006-01-01 DE SALVADOR, D.; Napolitani, E.; Mirabella, S.; Bisognin, G.; Impellizzeri, G.; Carnera, A.; Priolo, Francesco
Atomistic modeling of FnVm complexes in pre-amorphized Si
file da validare2008-01-01 Lopez, P; Pelaz, L; Aboy, M; Impellizzeri, G; Mirabella, Salvatore; Priolo, Francesco; Napolitani, E.
B Activation Enhancement in Submicron Confined Implants in Si
2005-01-01 Bruno, Elena; Mirabella, Salvatore; G., Impellizzeri; Priolo, Francesco; F., Giannazzo; V., Raineri; E., Napolitani
B clustering in amorphous Si
2008-01-01 DE SALVADOR, D; Bisognin, G; DI MARINO, M; Napolitani, E; Carnera, A; Mirabella, Salvatore; Pecora, E; Bruno, Elena; Priolo, Francesco; Graoui, H; Foad, M. A.; Boscherini, F.
B diffusion and activation phenomena during post-annealing of C co-implanted ultra-shallow junctions
file da validare2006-01-01 DI MARINO, M; Napolitani, E; Mastromatteo, M; Bisognin, G; DE SALVADOR, D; Carnera, A; Mirabella, Salvatore; Impellizzeri, G; Priolo, Francesco; Graoui, H; Foad, M. A.
B-doping in Ge by excimer laser annealing
file da validare2013-01-01 G., Impellizzeri; E., Napolitani; S., Boninelli; G., Fisicaro; M., Cuscunà; R., Milazzo; A., La Magna; G., Fortunato; Priolo, Francesco; V., Privitera
Bismuth doping of silicon compatible thin films for telecommunications and visible light emitting devices
2019-01-01 Scarangella, A.; Reitano, R.; Priolo, F.; Miritello, M.
Boron-interstitial clusters in cristalline silicon: stoichiometry and strain
2004-01-01 Bisognin, G; DE SALVADOR, D; Napolitani, E; Aldegheri, L; Berti, M; Carnera, A; Drigo, A. V.; Mirabella, Salvatore; Bruno, Elena; Impellizzeri, G; Priolo, Francesco
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Atomic environment of Fe following high-temperature implantation in InP | 1-gen-2003 | T., Cesca; A., Gasparotto; G., Mattei; V., Rampazzo; F., Boscherini; B., Fraboni; Priolo, Francesco; G., Ciatto; F., Dacapito; C., Bocchi | file da validare |
| Atomic Transport Properties and Electrical Activation of Ultra-Low Energy Implanted B in Crystalline Si | 1-gen-1999 | V., Privitera; E., Napolitani; Priolo, Francesco; G., Mannino; A., La Magna; A., Carnera | file da validare |
| Atomistic mechanism of boron diffusion in silicon | 1-gen-2006 | DE SALVADOR, D.; Napolitani, E.; Mirabella, S.; Bisognin, G.; Impellizzeri, G.; Carnera, A.; Priolo, Francesco | file da validare |
| Atomistic modeling of FnVm complexes in pre-amorphized Si | 1-gen-2008 | Lopez, P; Pelaz, L; Aboy, M; Impellizzeri, G; Mirabella, Salvatore; Priolo, Francesco; Napolitani, E. | file da validare |
| B Activation Enhancement in Submicron Confined Implants in Si | 1-gen-2005 | Bruno, Elena; Mirabella, Salvatore; G., Impellizzeri; Priolo, Francesco; F., Giannazzo; V., Raineri; E., Napolitani | |
| B clustering in amorphous Si | 1-gen-2008 | DE SALVADOR, D; Bisognin, G; DI MARINO, M; Napolitani, E; Carnera, A; Mirabella, Salvatore; Pecora, E; Bruno, Elena; Priolo, Francesco; Graoui, H; Foad, M. A.; Boscherini, F. | |
| B diffusion and activation phenomena during post-annealing of C co-implanted ultra-shallow junctions | 1-gen-2006 | DI MARINO, M; Napolitani, E; Mastromatteo, M; Bisognin, G; DE SALVADOR, D; Carnera, A; Mirabella, Salvatore; Impellizzeri, G; Priolo, Francesco; Graoui, H; Foad, M. A. | file da validare |
| B-doping in Ge by excimer laser annealing | 1-gen-2013 | G., Impellizzeri; E., Napolitani; S., Boninelli; G., Fisicaro; M., Cuscunà; R., Milazzo; A., La Magna; G., Fortunato; Priolo, Francesco; V., Privitera | file da validare |
| Bismuth doping of silicon compatible thin films for telecommunications and visible light emitting devices | 1-gen-2019 | Scarangella, A.; Reitano, R.; Priolo, F.; Miritello, M. | |
| Boron-interstitial clusters in cristalline silicon: stoichiometry and strain | 1-gen-2004 | Bisognin, G; DE SALVADOR, D; Napolitani, E; Aldegheri, L; Berti, M; Carnera, A; Drigo, A. V.; Mirabella, Salvatore; Bruno, Elena; Impellizzeri, G; Priolo, Francesco |
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Data di pubblicazione
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- 2010 - 2019 89
- 2000 - 2009 178
- 1990 - 1999 100
- 1987 - 1989 18
Rivista
- APPLIED PHYSICS LETTERS 68
- NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN ... 52
- JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 39
- MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING... 20
- PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MAT... 18
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