FOTI, Gaetano

FOTI, Gaetano  

FISICA ED ASTRONOMIA "ETTORE MAJORANA"  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
AuSi compound formation induced by ion mixing 1-gen-1984 Puglisi, Orazio Gaetano; Licciardello, Antonino; Calcagno, Lucia; Foti, Gaetano file da validare
Effects of Epitaxial Layer Growth Parameters on the Defect Density and on the Electrical Characteristics of Schottky Diodes 1-gen-2005 LA VIA, F.; Roccaforte, F.; DI FRANCO, S.; Ruggiero, A.; Neri, L.; Reitano, Riccardo; Calcagno, Lucia; Foti, G.; Mauceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Abbondanza, G.; Abbagnale, G.; Valente, G. L.; Crippa, D.
Ion track effect on point defect production in SiC 1-gen-2011 Litrico, G; Zimbone, Massimo; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia; Foti, G.
Low temperature reaction of point defects in ion irradiated 4H-SiC 1-gen-2009 Litrico, G.; Izzo, G.; Calcagno, L.; LA VIA, F.; Foti, G. file da validare
Optimisation of epitaxial layers growth with HCl addition by optical and electrical characterization 1-gen-2007 Calcagno, L; Izzo, G; Litrico, G; Foti, G; LA VIA, F; Galvagno, G; Mauceri, M; Leone, S file da validare
Point defects induced in ion irradiated 4H-SiC probed by exciton lines 1-gen-2009 Litrico, G.; Zimbone, M.; Calcagno, L; Musumeci, P.; Baratta, G. A.; Foti, G.
Secondary Electron Emission from Various Material Bombarded with Protons at E=2.5 MeV 1-gen-1974 Foti, G.; Potenza, R.; Triglia, A. file da validare