CINECA IRIS Institutional Research Information System
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EnglishErbium silicate thin films that have a good morphology are synthesized by radiofrequency magnetron sputtering. Properly annealed films exhibit efficient luminescence at 1535 nm, and all of the Er ions in the material (about 10(22) cm(-3)) are demonstrated to be optically active. The possibility to efficiently excite Er ions also through electron-hole mediated processes is demonstrated in nanometer-scale Er-Si-O/Si multilayers (see figure). The results are relevant to the improvement of silicon-based devices.
| Titolo: | Efficient luminescence and energy transfer in erbium silicate thin films |
| Autori interni: | |
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Efficient luminescence and energy transfer in erbium silicate thin films / MIRITELLO M; LO SAVIO R; IACONA F; FRANZO G; IRRERA A; PIRO A.M; BONGIORNO C; PRIOLO F. - In: ADVANCED MATERIALS. - ISSN 0935-9648. - 19:12(2007), pp. 1582-1588. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11769/31959 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/20.500.11769/31959
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