Fully Planar 4H-SiC Avalanche Photodiode with Low Breakdown Voltage

Sciuto, A.; Mazzillo, M.; Lenzi, P.; Di Franco, S.; Mello, D.; Barbarino, P. P.; Longo, G.; Cascino, S.; Santangelo, A.; Albergo, S.; Tricomi, A.; Starodubtsev, O.; Adriani, O.; D'Arrigo, G.

doi:10.1109/JSEN.2017.2711643

We report on the structure and performance of 4H-SiC p+-n APDs fabricated in a fully planar technology. A dark current density lower than 10 nA/cm2at 30-V reverse bias and a breakdown voltage of 88 V were observed. A gain as high as 105was measured at 94-V reverse bias, confirming the avalanche multiplication working condition. The maximum responsivity value was measured at 270 nm, increasing from 0.06 A/W (QE = 29%) at 0-V bias to 0.10 A/W (QE of about 45%) at 30-V reverse bias.

Titolo:	Fully Planar 4H-SiC Avalanche Photodiode with Low Breakdown Voltage
Autori interni:	Sciuto, A. Mazzillo, M. LENZI, Piergiulio Di Franco, S. Mello, D. Barbarino, P. P. Longo, G. Cascino, S. Santangelo, A. ALBERGO, Sebastiano Francesco TRICOMI, Alessia Rita Starodubtsev, O. Adriani, O. D'Arrigo, G. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2017
Rivista:	IEEE SENSORS JOURNAL
Handle:	http://hdl.handle.net/20.500.11769/322790
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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