Large area SiC-UV phothodiode for spectroscopy portable system

Sciuto, A.; Meli, A.; Calcagno, L.; Di Franco, S.; Mazzillo, M.; Franzo, G.; Albergo, S.; Tricomi, A.; Longo, D.; Giudice, G.; D'Arrigo, G.

doi:10.1109/JSEN.2019.2891833

In this paper, we present the extensive characterization of large-area silicon carbide-based UV sensors candidate for outdoors spectroscopic applications of gas or liquid. The proposed SiC Schottky devices exhibit a dark current density of 0.12 nA/cm(2) at 15 V, a 0.12-A/W responsivity at 300 nm, optimal visible blindness, and a switching time of similar to 190 ns. Effects of temperature on the sensor performance, of crucial interest for outdoors applications, are also examined in the range from -20 degrees C to 90 degrees C.

Titolo:	Large area SiC-UV phothodiode for spectroscopy portable system
Autori interni:	Sciuto, A. [Membro del Collaboration Group] (Corresponding) Meli, A. [Membro del Collaboration Group] CALCAGNO, Lucia [Membro del Collaboration Group] Di Franco, S. [Membro del Collaboration Group] Mazzillo, M. [Membro del Collaboration Group] Franzo, G. [Membro del Collaboration Group] ALBERGO, Sebastiano Francesco [Membro del Collaboration Group] TRICOMI, Alessia Rita [Membro del Collaboration Group] LONGO, DOMENICO [Membro del Collaboration Group] Giudice, G. [Membro del Collaboration Group] D'Arrigo, G. [Membro del Collaboration Group] mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2019
Rivista:	IEEE SENSORS JOURNAL
Handle:	http://hdl.handle.net/20.500.11769/359948
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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