CINECA IRIS Institutional Research Information System
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EnglishIn this work we studied the As redistribution in SiO270 nm / Si30 nm /SiO270 nm multilayer during postimplantation annealing. By Rutherford backscattering spectrometry and Z-contrast transmission electron microscopy we found an As accumulation at the Si/SiO2 interfaces and at the Si grain boundaries with no segregation of the As in the Si layer. Such an effect could be qualitatively in agreement with a model that assumes a traps distribution into the Si in the first 2–3 nm above the SiO2 / Si interfaces and along the Si grain boundaries. In particular, the traps concentration at the Si/SiO2 interfaces was estimated in 1014 traps/cm2. © 2010 American Institute of Physics.
| Titolo: | As doping of Si-based low-dimensional systems | |
| Autori interni: | ||
| Data di pubblicazione: | 2010 | |
| Rivista: | ||
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11769/8183 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/20.500.11769/8183
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