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STRUCTURAL PROPERTIES OF 3C-SIC LAYERS GROWN ON SI SUBSTRATES BY ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE CVD TECNIQUE 1-gen-2001 F., Giorgis; A., Chiodoni; G., Cicero; S., Ferrero; P., Mandracci; C. F., Pirri; G., Barucca; Calcagno, Lucia; G., Foti; Musumeci, Paolo; Reitano, Riccardo file da validare
Improvement of high temperature stability of nickel contacts on n-type 6H-SiC 1-gen-2001 Roccaforte, F; La Via, F; Raineri, V; Calcagno, Lucia; Musumeci, Paolo
Heteroepitaxy of 3C-SiC by electron cyclotron resonance-CVD technique 1-gen-2001 P., Mandracci; A., Chiodoni; G., Cicero; S., Ferrero; F., Giorgis; C. F., Pirri; G., Barucca; Musumeci, Paolo; Reitano, Riccardo
Angular distortion of Si clusters in a-SiC 1-gen-2001 Musumeci, Paolo; Roccaforte, F; Reitano, Riccardo
Growth and characterization of SiC layers obtained by microwave-CVD 1-gen-2001 Mandracci, P; Ferrero, S; Cicero, G; Giorgis, F; Pirri, Cf; Barucca, G; Reitano, Riccardo; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia; Foti, G.
Crystallisation mechanism of amorphous silicon carbide 1-gen-2001 Calcagno, Lucia; Musumeci, Paolo; Roccaforte, F; Bongiorno, C; Foti, G.
Dopant profile measurements in ion implanted 6H-SiC by scanning capacitance microscopy 1-gen-2001 Giannazzo, F; Calcagno, Lucia; Roccaforte, F; Musumeci, Paolo; La Via, F; Raineri, V.
Particle and light induced luminescence degradation in a-SiC:H 1-gen-2001 Reitano, Riccardo; Baeri, A; Musumeci, Paolo
Ion-irradiation effect on Ni/SiC interface reaction 1-gen-2001 F., Roccaforte; Calcagno, Lucia; Musumeci, Paolo; F., LA VIA
Optical and structural properties of SiC layers grown by an electron cyclotron resonance CVD technique 1-gen-2001 Giorgis, F; Chiodoni, A; Cicero, G; Ferrero, S; Mandracci, P; Barucca, G; Reitano, Riccardo; Musumeci, Paolo
Carrier concentration profiles in 6H-SiC by scanning capacitance microscopy 1-gen-2001 Giannazzo, F; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia; Makhtari, A; Raineri, V. file da validare
Crystallization process of amorphous silicon-carbon alloys 1-gen-2002 Calcagno, Lucia; Musumeci, Paolo; Roccaforte, F; Bongiorno, C; Foti, G.
Electrical Characterization of Nickel Silicide Contacts on Silicon Carbide 1-gen-2002 F., Roccaforte; F., LA VIA; V., Raineri; Calcagno, Lucia; Musumeci, Paolo
Structural and electrical characterisation of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide 1-gen-2002 La Via, F; Roccaforte, F; Makhtari, A; Raineri, V; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia file da validare
Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height 1-gen-2003 Roccaforte, F; La Via, F; Raineri, V; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia; Condorelli, Guglielmo Guido
Activation study of implanted N+ in 6H-SiC by scanning capacitance microscopy 1-gen-2003 Raineri, V.; Calcagno, L; Giannazzo, F.; Goghero, D.; Musumeci, P.; Roccaforte, F.; LA VIA, F.
Schottky-ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: is it really a solved problem? 1-gen-2003 La Via, F; Roccaforte, F; Raineri, V; Mauceri, M; Ruggiero, A; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia; Castaldini, A; Cavallini, A.
Structural and electrical characterization of n(+)-type ion-implanted 6H-SiC 1-gen-2004 Goghero, D; Giannazzo, F; Raineri, V; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia file da validare
Defects in He<sup>+</sup> Irradiated 6H-SiC Probed by DLTS and LTPL Measurements 1-gen-2004 Ruggiero, Alfonso; Libertino, Sebania; Mauceri, Marco; Reitano, Ricardo; Musumeci, Paolo; Roccaforte, Fabrizio; La Via, Francesco; Calcagno, Lucia file da validare
SCHOTTKY-OHMIC TRANSITION IN NICKEL SILICIDE/SIC-4H SYSTEM: THE EFFECT OF NON UNIFORM SCHOTTKY BARRIER 1-gen-2004 F., LA VIA; F., Roccaforte; V., Raineri; M., Mauceri; A., Ruggiero; Musumeci, Paolo; Calcagno, Lucia
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