SPITALERI, MARIA GIORGIA
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 91
NA - Nord America 91
EU - Europa 82
SA - Sud America 23
AF - Africa 10
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 7
Totale 304
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 85
SG - Singapore 47
IT - Italia 36
RU - Federazione Russa 30
CN - Cina 23
BR - Brasile 19
VN - Vietnam 8
CI - Costa d'Avorio 6
CA - Canada 5
GB - Regno Unito 4
BD - Bangladesh 3
KR - Corea 3
SE - Svezia 3
AR - Argentina 2
FR - Francia 2
HK - Hong Kong 2
IN - India 2
PY - Paraguay 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
CZ - Repubblica Ceca 1
DZ - Algeria 1
ES - Italia 1
FI - Finlandia 1
ID - Indonesia 1
IE - Irlanda 1
KE - Kenya 1
MX - Messico 1
NL - Olanda 1
PK - Pakistan 1
PL - Polonia 1
SI - Slovenia 1
TN - Tunisia 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 297
Città #
Singapore 39
Dallas 26
Moscow 11
Milan 10
San Jose 8
Ashburn 7
Beijing 7
Hefei 7
Naples 7
Abidjan 6
Council Bluffs 6
Catania 4
Atlanta 3
Bellante 3
Denver 3
Hanoi 3
Santa Clara 3
Santa Maria di Licodia 3
Seoul 3
Avaré 2
Bengaluru 2
Correggio 2
Hong Kong 2
Lauterbourg 2
Los Angeles 2
Montreal 2
Palermo 2
Phoenix 2
Stockholm 2
Turin 2
Amsterdam 1
Arcoverde 1
Aryanah 1
Asunción 1
Barra de São Francisco 1
Batna City 1
Belo Horizonte 1
Bengkulu 1
Buenos Aires 1
Buffalo 1
Cabo Frio 1
Cotia 1
Da Nang 1
Detroit 1
Dublin 1
Encarnación 1
Franca 1
Goiânia 1
Goosnargh 1
Guangzhou 1
Guaxupé 1
Itabela 1
Johannesburg 1
Jundiaí 1
Krasnodar 1
Ljubljana 1
London 1
Manaus 1
Mar del Plata 1
Maria da Fé 1
Meru 1
Mexico City 1
Nanaimo 1
Nanuet 1
New York 1
Orem 1
Phalia 1
Poplar 1
Rio das Pedras 1
Rio de Janeiro 1
Rurópolis 1
Scarborough 1
Sheffield 1
Spring Hill 1
Surrey 1
Teófilo Otoni 1
Thu Dau Mot 1
Turku 1
Tây Ninh 1
Warsaw 1
West Babylon 1
Wuhan 1
České Budějovice 1
Totale 234
Nome #
A Comparative Study of Current Sensing Technologies for Switching Current Measurements 145
An Analytical Model of a SiC MOSFETs in Parallel Configuration 109
Layout Impact on Current Sharing in SiC Power Modules: Modeling and Experimental Validation 22
Analytical modeling of SiC-MOSFETs for parasitic parameter adjustment based on experimental data 13
Experimental Investigation on Instability Issues in Parallel-Connected SiC MOSFETs 11
Power Board Design for Parallel SiC MOSFET Characterization 4
Totale 304
Categoria #
all - tutte 1.034
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.034


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202532 0 0 0 0 0 2 6 3 4 2 7 8
2025/2026241 10 18 37 23 19 43 21 9 10 12 23 16
2026/202731 16 15 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 304